Наверх
8 499 322 80 72Офис в Москве: ул. Нагатинская 5, 505
0
Корзина
0,00 ₽
Главная / Новости / Силовой MOSFET транзистор в корп... /
Силовой MOSFET транзистор в корпусе PQFN в семействе OptiMOS™ Source-Down
10 ноября 2020
Современные силовые установки требуют больших плотностей мощности и компактных размеров для увеличения показателей системы. Компания Infineon решает эту задачу на уровне компонентов. В дополнение к транзисторам на 25В, представленным в феврале, компания Infineon заявила новые низковольтные MOSFET транзисторы OptiMOSTM на 40В в корпусе Source-Down (SD) PQFN с посадочным местом 3.3 * 3.3 мм. Области применения: импульсные источники питания (SMPS) для серверов и телеком оборудования, а так же защита аккумуляторов (battery protection), электроинструменты (power tool) и зарядные устройства.

Силовой MOSFET транзистор в корпусе PQFN в семействе OptiMOS™ Source-Down


Корпус Source-Down (SD) характеризуется тем, что кремниевый кристалл MOSFET транзистора внутри корпуса перевернут. Таким образом, с платой через теплоотвод соединен исток, а не сток транзистора как обычно. В итоге сопротивление во включенном состоянии R DS(on) уменьшается на 25% по сравнению с существующей технологией. Тепловое сопротивление переход-корпус (R thJC) так же значительно улучшается по сравнению с традиционными PQFN корпусами. Транзисторы SD OptiMOS выдерживают токи до 194А длительное время. Кроме того,оптимизируется разводка печатной платы и повышается эффективность её использования.

Доступность

Транзисторы OptiMOS SD 40 V доступны в двух версиях: стандартная и с центральным положением затвора на корпусе (Center-Gate). Вариант с затвором в центре - оптимален для параллельного включения нескольких транзисторов. Оба варианта доступны для заказа.